ASML ha anunciado planes para un nuevo tipo de herramienta de fotolitografía llamada "Hyper-NA", que tiene como objetivo superar los límites del diseño de chips de alta densidad de transistores. Según el ex presidente de ASML Martin van den Brink, la organización de investigación global Imec ha confirmado que la tecnología Hyper-NA EUV está en las primeras etapas de desarrollo. Intel ya ha instalado un sistema Hyper-NA en su planta de semiconductores de Oregon. La nueva tecnología aumentará la apertura numérica (NA) de 0.33 a 0.55, con el objetivo de alcanzar 0.75 NA para 2030. Este avance admitirá nodos de proceso más allá de los 2 nm durante la próxima década.

Kurt Ronse, de Imec, destacó que Hyper-NA EUV es un paso significativo, ya que las investigaciones en curso apuntan a una NA superior a 0.55, con el objetivo de alcanzar una NA de 0.85. Los desafíos incluyen la polarización de la luz, que afecta el contraste y la eficiencia. ASML sigue siendo el único fabricante de herramientas EUV para transistores de alta densidad y presta servicios a clientes importantes como TSMC, NVIDIA, Apple y AMD.

La reciente instalación de sistemas Hyper-NA por parte de Intel mejora la resolución y la funcionalidad, y podría igualar el proceso de 2 nm de TSMC. Samsung, Micron y SK Hynix también están explorando la tecnología Hyper-NA. Se espera que Hyper-NA reduzca los costos y la complejidad asociados con el doble patrón. Las alternativas como la litografía por nanoimpresión tienen un menor rendimiento y la litografía por haz de electrones multihaz enfrenta desafíos.

Además de la fotolitografía, la miniaturización de los transistores está alcanzando límites físicos. Se necesitan nuevos materiales con mayor movilidad de electrones para reemplazar al silicio, lo que plantea desafíos de deposición y grabado. A pesar de estos avances, el silicio seguirá siendo fundamental, y los nuevos materiales mejorarán capas específicas.