En agosto, Samsung Electronics anunció la producción en masa de su memoria DRAM LPDDR12X de 5 nm más delgada de la industria, compatible con capacidades de 12 GB y 16 GB. Este producto presenta una estructura apilada de cuatro capas, lo que reduce el grosor en aproximadamente un 9 % en comparación con la generación anterior y mejora la resistencia al calor en aproximadamente un 21.2 %. Samsung planea desarrollar módulos de 24 GB con seis capas y módulos de 32 GB con ocho capas para encapsular memorias DRAM LPDDR ultradelgadas para dispositivos futuros. Además, la LPDDR16X de 5 GB ha sido validada con la plataforma móvil insignia Dimensity 9400 de MediaTek.

En mayo de 2023, SK Hynix anunció su plan de ampliar la aplicación de su proceso 1b avanzado para productos LPDDR5T en la primera mitad del año. LPDDR5T, lanzado por SK Hynix en enero del año pasado, opera dentro del rango de voltaje mínimo definido por JEDEC de 1.01 a 1.12 V, logrando velocidades de procesamiento de datos de hasta 77 GB por segundo.

El LPDDR5X de Micron también ha comenzado la producción en masa, utilizando tecnología de proceso 1β (1-beta) con una capacidad de 16 GB y grados de velocidad de hasta 9.6 Gbps, lo que proporciona un ancho de banda máximo un 12 % mayor que la generación anterior, lo que es crucial para habilitar la IA en el borde.

Con la creciente demanda de memoria de alto rendimiento y bajo consumo en la era de la IA, la tasa de adopción de la última LPDDR5X en teléfonos inteligentes y computación de alto rendimiento (HPC) está aumentando constantemente.

Según fuentes recientes de la industria en Corea del Sur, Samsung Electronics planea desarrollar un plan de inversión para convertir su línea de producción de DRAM de fábrica P2 a DRAM avanzada para finales de este año. La fábrica P2 produce principalmente DRAM 1z, pero su producción ha disminuido significativamente. Por lo tanto, Samsung se está preparando para cambiar la producción de DRAM P2 1z a DRAM 1b o más avanzada. A principios del próximo año, se espera que la capacidad de DRAM 1b de Samsung alcance las 100,000 obleas por mes.

SK Hynix también está trabajando activamente para aumentar la producción de DRAM 5b de quinta generación, y espera que su producción mensual aumente de 1 obleas en el primer trimestre del año pasado a 10,000 obleas a finales de este año. Además, SK Hynix planea aumentar aún más la producción de DRAM 1b hasta alcanzar entre 90,000 y 1 obleas en la primera mitad del año próximo.
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