Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional. 

Slkor equivalentes alternativos a Onsemi.

onsemi	Slkor Reemplazos
Número de refacción	Número de refacción	categoria de producto	PREMIUM
2N7002L	2N7002	MOSFET	HOY-23
2N7002LT1G	2N7002	MOSFET	HOY-23
MMBZ12VAL	MMBZ12VA	Diodo Zener	HOY-23
MMBZ15VDLT1G	MMBZ15VDLT1G	TVS	HOY-23
NUP2105LT1G	SLESD2105L	ESD	HOY-23
ESD5Z3.3T1G	SLESD5Z3V3	ESD	SOD-523
NUP2105LT1G	NUP2105LT1G	ESD	HOY-23
NCV8402	SL8402	Interruptores de alimentación inteligentes	HOY-223
6N136SDM	6N136S	Optoacoplador	SMD-8
6N137SDM	6N137S	Optoacoplador	SMD-8
6N136M	6N136	Optoacoplador	Dip 8
BAT54CT1G	BAT54C	Diodo de Schottkys	HOY-23
LL4148	LL4148	TVS	LL-34
MMBZ5V6AL	MMBZ5V6A	Diodo Zener	HOY-23
MMBZ6V2AL	MMBZ6V2A	Diodo Zener	HOY-23
MMBZ6V8AL	MMBZ6V8A	Diodo Zener	HOY-23
ESDR0524P	RCLAMP0524P	ESD	DFN2510
CAT4139	SL4139	Regulador CC-CC	HOY-23
6N137M	6N137	Optoacoplador	Dip 8
HCPL0601	SL0601	Optoacoplador	SOP-8
FODM352	SLM352	Optoacoplador	SOP-4
BC817-25LT1G	BC807-25	Bipolar Transistor	HOY-23
SBC817-40LT1G	BC817-40	Bipolar Transistor	HOY-23
US1M	US1M	Diodo de recuperación rápida	SMA
RS1M	RS1M	Diodo de recuperación rápida	SMA
MBRF20200CTG	MBRF20200CT	Diodo de Schottkys	TO-220F
ES2D	ES2D	Diodo de recuperación rápida	SMA
1SMB5923BT3G	1SMB5923B	Diodo Zener	PYME
1SMB5924BT3G	1SMB5924B	Diodo Zener	PYME
1SMB5925BT3G	1SMB5925B	Diodo Zener	PYME

Descripción
Las series 6N135, 6N136, SL450X combinan una emisión infrarroja de AlGaAs diodo como el emisor que está acoplado ópticamente a un fototransistor de silicio de alta velocidad en un encapsulado de plástico DIP8 con diferentes opciones de formación de conductores. Un diseño separado entre foto.diodo y el transistor reduce la capacitancia base-colector del transistor de entrada, lo que mejora la velocidad en varios órdenes de magnitud con respecto al optoacoplador fototransistor convencional.

Caracteristicas

● Alto aislamiento 5000 VRMS
● Entrada CC con salida de transistor.
● Rango de temperatura de funcionamiento: 55 °C a 100 °C
● Cumplimiento de REACH
● Libre de halógenos (Opcional)
● MSL clase 1
● Aprobaciones regulatorias
    ● UL-UL1577
    ● VDE - EN60747-5-5(VDE0884-5)
    ● CQC-GB4943.1, GB8898
    ● Aceptación de componentes cUL-CSA
    ● Aviso de servicio n.° 5A

Datos mecánicos

● Receptores de línea
● equipamiento de telecomunicaciones
● Interfaz de salida a CMOS-LSTTL-TTL
● Acoplamiento analógico de ancho de banda amplio
● Reemplazo del transformador de pulso
● Interfaz ordenador-periférico