Características generales
● V._DS =100V,yo_D =80A R_{DS (ACTIVADO)} < 9mΩ @ V_GS= 10 V  
● Tecnología de proceso especial para alta ESD capacidad  
● Diseño de celda de alta densidad para R ultrabaja_hijo  
● Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados  
● Buena estabilidad y uniformidad con alta E_AS  
● Excelente paquete para una buena disipación del calor.

Aplicación
● Aplicación de conmutación de energía
● Circuitos de alta frecuencia y de conmutación dura  
● Fuente de alimentación ininterrumpida