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SL65N10Q MOSFET de potencia de canal N DFN5x6-8 SL65N10Q MOSFET de potencia de canal N DFN5x6-8 SL65N10Q MOSFET de potencia de canal N DFN5x6-8
SL65N10Q MOSFET de potencia de canal N DFN5x6-8

Type:Canal N

VDSS:100V

Id-

Pd:89W

RDS (activado)@Vgs,Id:14mΩ@10V,20A

Vgs(ésimo)@Id:2.4 V @ 250 uA

Qg@Vgs:75 nC a 4.5 V.

CISS@Vds:4.708 nF a 15 V.

Crss@Vds:247pF@15V

Temperatura de trabajo:-55℃~+150℃@(Tj)

Detalles del producto

Descripción general
Muy baja resistencia RDS (ACTIVADO)
 Cargo de puerta bajo
 Excelente carga de puerta x RDS (ACTIVADO) Producto

Aplicaciones
 Conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona

Resumen del producto
 VDS 100VID 65A
 RDS (ACTIVADO) (en VGS =10V) < 14mΩ
 RDS (ACTIVADO) (en VGS =4.5V) < 17mΩ
100% DVD probado
100% probado por la UIS
100% probado

SL65N10Q_00.jpg

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Sensor de efecto Hall

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