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SL60N10Q MOSFET de potencia de canal N DFN5x6-8 SL60N10Q MOSFET de potencia de canal N DFN5x6-8 SL60N10Q MOSFET de potencia de canal N DFN5x6-8
SL60N10Q MOSFET de potencia de canal N DFN5x6-8

Type:Canal N

VDSS:100V

Identificación-

Pd:56.5W

RDS (activado)@Vgs,Id:8mΩ@10V,20A

Vgs(ésimo)@Id:2.4 V @ 250 uA

Qg@Vgs:29 nC a 4.5 V.

CISS@Vds:2.55 nF a 15 V.

Crss@Vds:12pF@15V

Temperatura de trabajo:-55℃~+150℃@(Tj)

Detalles del producto

Descripción general
Muy baja resistencia RDS (ACTIVADO)
Cargo de puerta bajo
Excelente carga de puerta x RDS (ACTIVADO) Producto

Aplicaciones
Conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona

Resumen del producto
● VDS     100V
● ID         60A
● RDS (ACTIVADO) (en VGS =10V) < 11.5mΩ
● RDS (ACTIVADO) (en VGS =4.5 V) < 15 mΩ
100% DVD probado
100% probado por la UIS
100% probado

SL60N10Q_00.jpg

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Sensor de efecto Hall

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