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Efecto de campo del modo de mejora del canal N Transistor
Resumen del producto
| VDS | 100 | V |
| RDS (ACTIVADO)@10V, MÁX. | 95 | mΩ |
| ID | 10 | A |
CARACTERÍSTICAS
Potencia de zanja MV MOSFET la tecnología
Excelente paquete para disipación de calor.
Diseño de celda de alta densidad para baja RDS(on)
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| 萨科微 | 金航标 | slkor | Yelmo real
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