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SL2P10A MOSFET SOT-23 de mejora de canal P SL2P10A MOSFET SOT-23 de mejora de canal P SL2P10A MOSFET SOT-23 de mejora de canal P
SL2P10A MOSFET SOT-23 de mejora de canal P

type: Canal P

VDSS: -100V

Id: -2 A

RDS (activado)@VGS, heD: 560mΩ@-10V, -1A

Vgs(ésimo)@Id: -2V@-250μA


Detalles del producto

Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional. 


Descripción general

Este canal P MOSFET utiliza tecnología y diseño avanzados de zanjas para proporcionar una excelente RDS (activado) con carga de puerta baja. Se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones.


Caracteristicas

● Carga de puerta súper baja

● Excelente disminución del efecto Cdv/dt

● Dispositivo verde disponible 

● Tecnología avanzada de zanjas de alta densidad celular


Aplicaciones

● Monitor de video

● Gestión de energía

Resumen del producto
VDS  RDS (ACTIVADO) MAX  ID MAX
-100V 650mΩ@10V  -2A
700mΩ@4.5V


SL2P10A SOT-23_00.png


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