+86 755-83044319

Productos

/
/
/
/
2N7002 MOSFET SOT-23 de mejora de canal N 2N7002 MOSFET SOT-23 de mejora de canal N 2N7002 MOSFET SOT-23 de mejora de canal N
2N7002 MOSFET SOT-23 de mejora de canal N
Tipo: Canal N

Vdss: 60V

Identificación: 115 mA

PD: 225 mW

RDS(encendido)@Vgs,Id:7.5Ω@10V,500mA

Vgs(th)@Id:2.5V@250μA

Detalles del producto

Características generales

● V.DS = 60 V, ID = 0.115 A RDS (ACTIVADO) < 7.5 Ω @ VGS= 5 V  
● Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
● Se adquiere producto sin plomo.  
● Paquete de montaje en superficie

Aplicación
● Protección de la batería
● interruptor de carga
● Gestión de energía

2N7002_00.jpg

Línea directa de servicio

+86 0755-83044319

Sensor de efecto Hall

Obtener información del producto

WeChat

WeChat