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Transistores de efecto de campo de silicio y óxido metálico SL8N65F Transistores de efecto de campo de silicio y óxido metálico SL8N65F Transistores de efecto de campo de silicio y óxido metálico SL8N65F
Transistores de efecto de campo de silicio y óxido metálico SL8N65F

type: Canal N

VDSS: 650V

Id: 8A

RDS (activado)@VGS, heD: 1.1 mΩ a 10 V, 3.5 A

Vgs(ésimo)@Id: 2 V a 250 μA


Detalles del producto

Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional. 


Descripción general

El SL8N65F es una mejora de canal N de alto voltaje MOSFET Diseñado para aplicaciones de energía exigentes. Alojado en un robusto paquete TO-220F, este MOSFET ofrece un rendimiento excepcional con su clasificación de alto voltaje, baja resistencia y capacidades sustanciales de manejo de corriente. Es muy adecuado para su uso en fuentes de alimentación, reguladores de conmutación y otros circuitos electrónicos de alta potencia.


Caracteristicas

● Cambio rápido

● Baja resistencia de encendido

● Cargo de puerta bajo

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%


Aplicaciones

● Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.


SL8N65F TO-220F_0.jpg


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Sensor de efecto Hall

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