● Descripción:
Nuestro canal N MOSFET está diseñado para proporcionar un rendimiento sólido en entornos de alto voltaje. Con un voltaje máximo de fuente de drenaje de 650 V, es ideal para aplicaciones de conmutación de alto voltaje. El dispositivo presenta una baja resistencia de 1.1 Ω (a V_gs = 10V y yo_d = 3.5 A), lo que garantiza una pérdida mínima de energía y un funcionamiento eficiente. Además, tiene una capacidad total de disipación de energía de 30 W, lo que le permite manejar una potencia significativa sin sobrecalentarse.

● Características:

● Cambio rápido

● Baja resistencia de encendido

● Cargo de puerta bajo

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Aplicación:

● Circuitos de suministro de energía: Conmutación eficiente en convertidores y reguladores de potencia.

● Accionamientos de motor: control fiable de motores de CC en electrónica industrial y de consumo.

● Reguladores de conmutación: Rendimiento de alta eficiencia en convertidores elevadores y reductores.

● Sistemas Inversores: Adecuado para sistemas fotovoltaicos y de suministro de energía ininterrumpida (UPS).

● Control de iluminación: eficaz para aplicaciones de conmutación y atenuación en sistemas de iluminación LED.