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SL10N65F MOSFET de potencia de canal N TO-220F SL10N65F MOSFET de potencia de canal N TO-220F SL10N65F MOSFET de potencia de canal N TO-220F
SL10N65F MOSFET de potencia de canal N TO-220F

Type:Canal N

VDSS: 650 V

Id:10A

Pd: 41.8 W

RDS (activado)@Vgs,Id:940mΩ@10V,5A

Vgs(ésimo)@Id: 4.5 V @ 250 A


Detalles del producto

Potencia del canal N MOSFET

Características:

● 10.0 A, 650 V, RDS(ENCENDIDO)(Tipo)=0.80Ω@VGS= 10 V

● Cargo de puerta bajo

● C bajarss

● 100%Probado contra avalanchas

● Cambio rápido

● Capacidad dv/dt mejorada

Aplicación:

● Fuente de alimentación de modo de conmutación de alta frecuencia

● Corrección del factor de potencia activa

SL10N65F_00.jpg

Línea directa de servicio

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Sensor de efecto Hall

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