El carburo de silicio SiC es un material semiconductor compuesto de silicio Si y carbono C, generalmente en forma de cristal 4H-SiC. La intensidad del campo de ruptura del aislamiento es 10 veces mayor que la del Si, la brecha de energía es 3 veces mayor que la del Si, la conductividad térmica es 3 veces mayor que la del Si y la velocidad de deriva de saturación es 2 veces mayor que la del Si. Es un material para dispositivos electrónicos de potencia muy superior al Si.