La estructura interna del diodo de recuperación rápida es diferente del diodo de unión PN ordinario, que pertenece al diodo de unión PIN, es decir, la región base I se agrega en medio del material de silicio tipo P y el material de silicio tipo N para formar el PIN. oblea de silicio. Debido a que la región base es muy delgada, la carga de recuperación inversa es muy pequeña, por lo que el tiempo de recuperación inversa del diodo de recuperación rápida es más corto, la caída de voltaje directo es menor y el voltaje de ruptura inverso (valor de voltaje soportado) es mayor.