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Transistor de silicio epitaxial BFG520/XR SOT-143R Transistor de silicio epitaxial BFG520/XR SOT-143R Transistor de silicio epitaxial BFG520/XR SOT-143R
Transistor de silicio epitaxial BFG520/XR SOT-143R

Vceo: 15 V

Ic: 70 mA

Pd: 300 mW

fT: 9GHz

Detalles del producto

Nuestras ventajas

Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional. 


Descripción
● El chip se fabrica con el proceso de epitaxia del silicio, con características como alta ganancia de potencia, banda ancha, bajo ruido, baja corriente de fuga y pequeña capacidad de unión; además, tiene rangos dinámicos relativamente grandes y características lineales actuales ideales;
● Se aplica principalmente a amplificadores de bajo ruido de banda ancha de alta frecuencia de microondas, VHF, UHF y CATV de frecuencia ultraalta, como sintonizadores de televisión por satélite, amplificadores CATV, teléfonos inalámbricos digitales analógicos, amplificadores de alta frecuencia en módulos de radiofrecuencia y módulos ópticos;
● Tensión de ruptura colector-emisor: BVCEO=15V, corriente máxima del colector: IC=70mA, disipación de potencia del colector: PC=300mW, frecuencia característica: fT=9GHz;
amplificadores en módulos de radiofrecuencia y módulos ópticos;
● La superficie de las clavijas SOT143B o SOT143R (la clavija colectora ancha y la clavija emisora ​​dual) está pegada con un paquete de plástico;
● ON4973/X y BFG520/X tienen el mismo rendimiento, empaque y serigrafía, con única diferencia en los modelos en las etiquetas.

Características:

● Tipo: Silicio epitaxial Transistor
● Vceo: 15V (voltaje colector-emisor)
● Ic: 70 mA (corriente de colector)
● PD: 300 mW (disipación de potencia)
● pies: 9 GHz (frecuencia de transición)
● Paquete: Normalmente disponible en SOT-143 o paquetes compactos similares

Aplicaciones:
El transistor BFG520/XR encuentra aplicación en varios circuitos electrónicos de alta frecuencia, incluidos:

● Amplificación de RF: Ideal para amplificar señales en circuitos de RF que funcionan hasta 9 GHz.
● Comunicación inalámbrica: Se utiliza en transmisores y receptores de sistemas de comunicación inalámbrica.
● Circuitos de microondas: Adecuado para circuitos amplificadores y osciladores de microondas.
● Procesamiento de señales: proporciona capacidades de procesamiento de señales de alta velocidad en circuitos digitales y analógicos.
● Equipo de prueba: Se utiliza en equipos de prueba y medición que requieren un rendimiento de alta frecuencia.

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