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Transistor bipolar NPN SL5304DCP TO-252

Vceo: 400V

Ic:4A

PD: 35W

VCE (sat): 1.5V

fT:-

Temperatura de trabajo: 150 ℃ @ (Tj)

Detalles del producto

Nuestras ventajas    

Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.    


Descripción

Presentamos nuestro transistor de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones exigentes: el VCEO 400 V, capaz de manejar hasta 4 A con una disipación de potencia máxima de 35 W. Este dispositivo robusto cuenta con un voltaje de saturación de colector-emisor (VCE (sat)) de tan solo 1.5 V, lo que garantiza un funcionamiento eficiente y una pérdida de energía mínima. Con una temperatura de trabajo de hasta 150 °C a temperatura de unión (Tj), está diseñado para brindar confiabilidad y durabilidad en entornos desafiantes.


Caracteristicas

● El diodo de rueda libre incorporado permite una operación antisaturación eficiente

● No es necesario interesar un valor hfe debido a su bajo 

   Tiempo de almacenamiento variable, incluso si Comer 

   Producto Espiritual.

● Requisito de unidad base baja

● Adecuado para aplicaciones de balasto de luz de medio puente


Estructura

● Tipo de triple difusión de silicio

● Silicio NPN Transistor

● Diodo colector-emisor antiparalelo integrado

Aplicaciones

● Suministros de energía

● Control del motor

● Amplificadores de potencia

● inversores

SL5304DCP_00.png

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Sensor de efecto Hall

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