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Transistor bipolar NPN 2SC2712-G SOT-23

Vceo: 50V

Ic: 150mA

PD: 150 mW

VCE:-

fT: 80 MHz

Temperatura de trabajo: 25 ℃ @ (Tj)

Detalles del producto

Nuestras ventajas    

Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.    


Descripción

El 2SC2712-G es un transistor bipolar NPN de alto rendimiento alojado en un encapsulado SOT-23 compacto. Está diseñado para diversas aplicaciones electrónicas y ofrece capacidades de conmutación y amplificación confiables en un espacio reducido.


Caracteristicas

● Alto voltaje y alta corriente: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (máx.)
● Excelente linealidad hFE: hFE (IC = 0.1 mA)/ hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (típico)
● hFE alto: hFE = 70 700
● Bajo nivel de ruido: NF = 1 dB (típico), 10 dB (máximo)


Aplicación

Transistor de montaje superficial de pequeña señal NPN dual.


2SC2712-G SOT-23_00.jpg

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