● Descripción:
Este canal N MOSFET Voltaje máximo de drenaje-fuente (V_DSS) de 30 V, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Con una corriente de drenaje continua máxima (I_d) de 6A y una Disipación de Potencia (P_d) de 2W, garantiza un manejo eficiente de la energía y estabilidad térmica. La R baja_{DS (activado)} de 19mΩ en V_gs de 10 V y Id de 5.6 A garantiza pérdidas de conducción mínimas, mientras que el voltaje umbral puerta-fuente (V_gs(ésimo)) es de solo 1 V a 250 μA, lo que facilita la conducción y el control.

● Características:

● Alta potencia y capacidad de entrega de corriente.

● Se adquiere producto libre de plomo

● Paquete de montaje en superficie

● Aplicación:

● Protección de la batería 

● Interruptor de carga 

● Gestión de energía