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SL40P03G MOSFET de mejora de canal P PDFN-8L (3x3) SL40P03G MOSFET de mejora de canal P PDFN-8L (3x3) SL40P03G MOSFET de mejora de canal P PDFN-8L (3x3)
SL40P03G MOSFET de mejora de canal P PDFN-8L (3x3)

type:Canal P

VDSS:-30V

Id:-40A

Pd: 30W

RDS (activado)@Vgs,Id:10mΩ@-10V,-15A

Vgs(ésimo)@Id:-1V@-250μA

Detalles del producto

● Descripción:
Mejora del canal P SL40P03G MOSFET PDFN-8L(3x3) está diseñado para un funcionamiento eficiente y confiable en una variedad de aplicaciones electrónicas. Este MOSFET Ofrece características robustas con un Vds máximo de -30 V y una corriente de drenaje continua de -40 A, lo que lo hace ideal para tareas de amplificación y conmutación de energía.

● Características:

● VDS= 30 V, yoD= 178A 

● RDS(ENCENDIDO)TIPO = 1.1 mΩ @VGS = 10 V 

● RDS(ENCENDIDO)TIPO = 2.1 mΩ @VGS = 4.5 V 

● RDS de muy baja resistencia (ON)

● bajocrss 

● Conmutación rápida 

● 100 % probado en avalanchas 

● Capacidad dv/dt mejorada


● Aplicación:

● Interruptor de corriente para CC/CC, CA/CC

● Administración de energía 

● Conducción motorizada, carga rápida/inalámbrica



SL40P03G  PDFN3x3-8L_00.png

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Sensor de efecto Hall

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