● Descripción:

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

● Características:

● VDS = 30 V, identificación = 150 A

● RDS (ENCENDIDO), 2.8 mΩ (típico) @ VGS = 10 V

● RDS (ENCENDIDO), 4.4 mΩ (típico) @ VGS = 4.5 V

● Tecnología avanzada de zanjas

● Proporciona un RDS excelente (ON) y una carga de puerta baja

● Se adquiere producto libre de plomo

● Aplicación:

● Interruptor de carga
● Aplicación PWM
● Gestión de energía