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SL160N03Q MOSFET de mejora de canal N PDFN-8L (5x6) SL160N03Q MOSFET de mejora de canal N PDFN-8L (5x6) SL160N03Q MOSFET de mejora de canal N PDFN-8L (5x6)
SL160N03Q MOSFET de mejora de canal N PDFN-8L (5x6)

type:Canal N

VDSS: 30V

Id: 160A

Pd:50W

RDS (activado)@Vgs,Id:1.6mΩ@10V,20A

Vgs(ésimo)@Id:1.6V@250μA

Detalles del producto

● Descripción:
La mejora del canal N SL160N03Q MOSFET PDFN-8L(5x6) está diseñado para aplicaciones exigentes donde la eficiencia y la confiabilidad son cruciales. Este MOSFET cuenta con un voltaje máximo de fuente de drenaje de 30 V y una capacidad sustancial de corriente de drenaje continuo de 160 A, lo que lo hace ideal para tareas de conmutación de alta potencia.

● Características:

● VDS= 30 V, yoD= 160A
● RDS (ON) TIPO = 1.6 mΩ a VGS = 10 V
● RDS (ON) TIPO = 2.3 mΩ a VGS = 4.5 V
● Muy baja resistencia RDS (ACTIVADO)
● bajocrss
● Conmutación rápida
● 100 % probado en avalanchas
● Capacidad dv/dt mejorada  


● Aplicación:

● Aplicación PWM
● Interruptor de carga
● Administración de energía  


SL160N03Q PDFN5X6-8L_00.png

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Sensor de efecto Hall

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