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MOSFET SOT-305 de mejora de canal N FDV23N MOSFET SOT-305 de mejora de canal N FDV23N MOSFET SOT-305 de mejora de canal N FDV23N
MOSFET SOT-305 de mejora de canal N FDV23N

type: Canal N

VDSS: 20V

Id: 0.9A

RDS (activado)@VGS, heD:170mΩ@4.5V, 0.9A

Vgs(ésimo)@Id: 1 V a 250 μA


Detalles del producto

Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional. 


Descripción general

La mejora del canal N FDV305N MOSFET, alojado en un paquete compacto SOT-23, está diseñado para conmutación y control eficientes en diversas aplicaciones electrónicas. Diseñado para ofrecer un rendimiento confiable con su bajo voltaje de umbral de puerta y baja resistencia de encendido, el FDV305N es ideal para diseños con limitaciones de espacio y sensibles a la energía.

Caracteristicas

● Energía de zanja LV MOSFET la tecnología

● Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS(EN)

● Conmutación de alta velocidad


Aplicaciones

● Protección de la batería 

● interruptor de carga 

● Gestión de energía



FDV305N SOT-23_0.jpg


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Sensor de efecto Hall

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