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MOSFET SOT-338 de mejora de canal P FDN23P MOSFET SOT-338 de mejora de canal P FDN23P MOSFET SOT-338 de mejora de canal P FDN23P
MOSFET SOT-338 de mejora de canal P FDN23P

type: Canal P

VDSS:-20V

Id:-1.6A

RDS (activado)@VGS, heD:75mΩ@-4.5V, -1.6A

Vgs(ésimo)@Id: -0.7V@-250μA


Detalles del producto

Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional. 


Descripción general

Mejora del canal P FDN338P MOSFET, presentado en un paquete compacto SOT-23, está diseñado para conmutación y control eficientes en aplicaciones electrónicas que requieren manejo de voltajes negativos. Con su baja resistencia de encendido y su importante capacidad de manejo de corriente, el FDN338P es ideal para circuitos que necesitan un rendimiento confiable en entornos de voltaje negativo.

Caracteristicas

● Tecnología de zanjas líder para un bajo RDS(en) 

● Cargo de puerta bajo


Aplicaciones

● monitor de vídeo

● Gestión de energía



FDN338P SOT-23_0.jpg


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