● Descripción:
Este canal N MOSFET está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Cuenta con un voltaje de drenaje-fuente máximo (V_DSS) de 30 V y una corriente de drenaje continua (I_d) de 2.2A. Con una disipación de potencia (P_d) con una potencia nominal de 0.5 W, esta MOSFET Proporciona un funcionamiento confiable manteniendo un bajo consumo de energía.

● Características:

● Energía de zanja LV MOSFET la tecnología

● Diseño de celda de alta densidad para baja R_{DS (ACTIVADO)}

● Conmutación de alta velocidad

● Aplicación:

● Protección de la batería

● Interruptor de carga

● Gestión de energía