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MOSFET SOT-302 de mejora de canal P FDN23P MOSFET SOT-302 de mejora de canal P FDN23P MOSFET SOT-302 de mejora de canal P FDN23P
MOSFET SOT-302 de mejora de canal P FDN23P

type: Canal P

VDSS:-20V

Id:-2.4A

RDS (activado)@VGS, heD:44mΩ@-4.5V, -2.4A

Vgs(ésimo)@Id: -1V@-250μA


Detalles del producto

Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional. 


Descripción general

Mejora del canal P FDN302P MOSFET está diseñado para un rendimiento óptimo en aplicaciones de voltaje negativo. Presentado en un paquete compacto SOT-23, este MOSFET está diseñado para ofrecer conmutación eficiente y baja resistencia de encendido, lo que lo hace ideal para la administración y control de energía en circuitos electrónicos que operan con voltajes negativos.

Caracteristicas

● Energía de zanja LV MOSFET la tecnología

● Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)

● Conmutación de alta velocidad


Aplicaciones

● Protección de la batería 

● interruptor de carga 

● Gestión de energía



FDN302P SOT-23_0.jpg


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